絶縁膜（SiN）加工エッチング
SiNだけを取り除くために低ダメージエッチングが重要となります。終点検知を行いエッチング速度を保ちながらSiNのエッチングを行うことが可能です。 … GaN HEMT構造向け成膜/加工技術
GaN HEMTの製造プロセス
GaN HEMT（高電子移動度 トランジスタ：High Electron Mobility Transistor）は低い動作抵抗と高い破壊耐圧を有しており、高出力かつ高速の電子デバイスへの応用が期待される次世代のパワー 半導体である。 … GaN HEMTの製造プロセス
GaN-HEMT構造におけるゲート形成
GaN HEMTにおけるゲート構造のパターンはいくつかありますが、何れにも言えることは非常に浅い加工が要求されます。
ビッグデータをベースとする IoT、AI 社会に大いなる可能性が期待される 「トポロジカル絶縁体」とは
富永淳二博士講演録〈抜粋版〉
富永先生の研究テーマである「相変化メモリ」はまさに到達点が次への新たな出発点ともいえるもので、現在も次世代相変化メモリとして「トポロジカル絶縁体」に取り組んでいる。この … ビッグデータをベースとする IoT、AI 社会に大いなる可能性が期待される 「トポロジカル絶縁体」とは
到達点が新たな出発点の 相変化メモリ研究
独自の視点で「やればできる」をモットーに取り組む研究ポリシー
産業技術総合研究所 首席研究員 Ph.D.富永淳二
1960 年代に開発された「相変化メモリ」は、同一材料の結晶状態と非結晶（アモルファス）状態による差異変化を記憶させる技術である。 … 到達点が新たな出発点の 相変化メモリ研究
研究活動の原動力は「面白い」と感じるキュリオシティ
皮膚感覚のウェアラブルデバイス研究を成し遂げる研究者の資質とは？
東京大学 染谷隆夫教授
「半導体デバイスは硬いシリコン基板上につくるもの」、というのがひと昔前までの一般常識であった。2000 年代になると、曲がるエレクトロニクスの研究が活発になった。
… 研究活動の原動力は「面白い」と感じるキュリオシティ
トレンチ構造パワーデバイス製造プロセス
パワーデバイスは低消費電力化を実現するデバイスとして期待されています。これまでのパワーデバイスはSi基板を用いていましたが、物性限界があるため、次世代の基板としてSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の活用が広がっています。 … トレンチ構造パワーデバイス製造プロセス
GaNトレンチエッチング
パワーデバイスの微細化、低抵抗化を実現するトレンチ構造を実現するためのドライエッチング技術を提供しています。 … GaNトレンチエッチング
SiCトレンチエッチング
パワーデバイスの微細化、低抵抗化を実現するトレンチ構造を実現するためのドライエッチング技術を提供しています。 … SiCトレンチエッチング
SiCパワーデバイス向けイオン注入
高エネルギーでの注入や、高温と低温注入の使い分けが可能なプロセスを提供します。また活性化アニールの際のSi蒸発による基板荒れを防ぐカーボンキャップ技術も提供可能です。