GaNトレンチエッチング

This post is also available in: 英語 簡体中国語

パワーデバイスの微細化、低抵抗化を実現するトレンチ構造を実現するためのドライエッチング技術を提供しています。

課題

トレンチ形状の制御

底面角部への電解集中によるデバイス破壊を防ぐため底部をラウンド形状に加工

トレンチ側壁へのダメージ

表面にダメージがあるとデバイス性能に影響

 

解決策

 

スムーズな側壁とラウンド形状の実現

エッチング条件を最適化して、トレンチ形状を制御

ダメージ層の除去

トレンチ形成でできたダメージ層を超低速エッチングと低温アニールで除去

material GaN
mask SiO2
size W 0.5um, D 1.5um
ER 400nm/min
Selectivity >5.0

 

関連装置の詳細はこちら

お問い合わせはこちら