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パワーデバイスの微細化、低抵抗化を実現するトレンチ構造を実現するためのドライエッチング技術を提供しています。
課題
トレンチ形状の制御
高耐圧用途では電解集中を避けるため、トレンチ構造底部にラウンド形状が必要
低エッチングレート
SiCは固く、化学的に安定した材料のため高エッチングレートの実現が困難
SiO2マスクとの選択比
SiO2マスクとの選択比低いと、厚いSiO2マスクが必要
解決策
スムーズな側壁とラウンド形状の実現
エッチング条件を最適化して、トレンチ形状を制御
700nm/min以上のエッチングレート
高選択比の実現
側壁の平滑性と高い選択比を両方実現するプロセス
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