絶縁膜(SiN)加工エッチング
SiNだけを取り除くために低ダメージエッチングが重要となります。終点検知を行いエッチング速度を保ちながらSiNのエッチングを行うことが可能です。 … GaN HEMT構造向け成膜/加工技術
SiNだけを取り除くために低ダメージエッチングが重要となります。終点検知を行いエッチング速度を保ちながらSiNのエッチングを行うことが可能です。 … GaN HEMT構造向け成膜/加工技術
GaN HEMT(高電子移動度 トランジスタ:High Electron Mobility Transistor)は低い動作抵抗と高い破壊耐圧を有しており、高出力かつ高速の電子デバイスへの応用が期待される次世代のパワー 半導体である。 … GaN HEMTの製造プロセス
GaN HEMTにおけるゲート構造のパターンはいくつかありますが、何れにも言えることは非常に浅い加工が要求されます。