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GaN HEMTにおけるゲート構造のパターンはいくつかありますが、何れにも言えることは非常に浅い加工が要求されます。
課題
制御性の良いレートに抑える
可能な限りダメージレス
選択加工ができることろは選択加工で行う
解決策
リセス構造を設ける手法
極低レートエッチングでAlGaNをわずかに残します。（25nmエッチングで5nm残しの例）
p型GaN層を設ける手法
p-GaNのみをエッチングし、AlGaNを残します。
AlNスペーサを設ける手法
1 ～ 1.5nmのAlNを成膜し、AlGaNをエッチングします。
