GaN-HEMT構造におけるゲート形成

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GaN HEMTにおけるゲート構造のパターンはいくつかありますが、何れにも言えることは非常に浅い加工が要求されます。

課題

制御性の良いレートに抑える

可能な限りダメージレス

選択加工ができることろは選択加工で行う

 

解決策

リセス構造を設ける手法

極低レートエッチングでAlGaNをわずかに残します。(25nmエッチングで5nm残しの例)

p型GaN層を設ける手法

p-GaNのみをエッチングし、AlGaNを残します。

AlNスペーサを設ける手法

1 ~ 1.5nmのAlNを成膜し、AlGaNをエッチングします。

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