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GaN HEMT 中的Gate结构有多种模式，但都要求非常浅的加工。
挑战
保持可控速率
尽可能无损坏
能够进行选择加工的地方通过选择加工进行
解决方案
设置Recess结构
在极低速率刻蚀中稍微保留 AlGaN。（在 25nm 刻蚀中保留 5nm 的示例）
设置p型GaN层
只刻蚀p-GaN、留下AlGaN。
设置AlN间隔层的方法
1 ～ 1.5nm的AlN成膜、刻蚀AlGaN。
