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GaN HEMT（高電子移動度 トランジスタ：High Electron Mobility Transistor）は低い動作抵抗と高い破壊耐圧を有しており、高出力かつ高速の電子デバイスへの応用が期待される次世代のパワー 半導体である。
GAN HEMTのプロセスフロー
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1. GaNエピ層の形成 |
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2. オーミックリセス加工低ダメージプロセス |
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3. n-GaNスパッタ低コンタクト抵抗 |
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4. Isolationエッチング高エッチングレート |
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5. AlGaNリセス or 選択エッチングゲートを形成するためのリセス構造は、非常に浅い加工が必要とされます。極低レート、選択比エッチング、ダメージレスが重要となります。 |
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6. SiNゲート絶縁膜形成 |
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7. SiNゲート絶縁膜加工低ダメージエッチングが要求されます。 |
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8. ゲート電極形成&リフトオフゲート電極の形成は蒸着によるリフトオフプロセスが使われます。 |
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9. S/D電極形成＆加工Ti/Alをスパッタで成膜、エッチングで加工し電極を形成 |
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10. 支持基盤貼り付け＆研磨 |
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11. 裏面Viaエッチング電極をつなげるために裏面のSi/SiCをVia加工します |
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12. シードメタル成膜
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13. メッキ処理 |