実装フェスタ関西（JFK）2022にて、ポスター発表を行いました。
開催日 : 2022/7/7～8
場所 : パナソニックリゾート大阪
題名 : 高密度実装におけるBuild-up film向けプラズマ処理技術
カテゴリー: Process Data
JVIA真空装置部門賞2021受賞 NA-series
半導体パッケージ用のドライアッシング装置NA-seriesは、”高密度実装向け低ダメージプラズマアッシング技術”という題目で、JVIA真空装置部門賞2021を受賞しました。
エッチング面内分布改善
ガス種・流量比、プロセス圧力、RFパワー等のプロセスパラメータ最適化は、エッチングレート・選択比・加工形状といった項目だけでなく、面内分布にも影響します。したがって、プロセスによる分布追求には、他の項目とのトレードオフが発生します。 … エッチング面内分布改善
InPの用途
InP（インジウムリン）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
GaAs(ガリウム砒素）の用途
GaAs（ガリウム砒素）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
化合物半導体の用途
化合物半導体は電磁波の一種である光や電波を扱うために適した半導体です。
IGBT向け加工技術（スパッタリング）
IGBTの製造工手の中で、電極形成に必要となるスパッタリングの技術について紹介します。
IGBT向け加工技術の紹介（イオン注入）
IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。
パワーデバイス裏面電極向けAuレスはんだスパッタ
パワーデバイスは省エネの観点から今後も大きな成長が見込まれるデバイスです。今回はそのパワーデバイスの裏面電極プロセスとして、Auを使用しない、はんだスパッタプロセスをご紹介します。
IGBT向け製造プロセス
ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置 等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。