Process Data

エッチング面内分布改善

ガス種・流量比、プロセス圧力、RFパワー等のプロセスパラメータ最適化は、エッチングレート・選択比・加工形状といった項目だけでなく、面内分布にも影響します。したがって、プロセスによる分布追求には、他の項目とのトレードオフが発生します。 … エッチング面内分布改善

Process Data

InPの用途

InP（インジウムリン）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。

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Process Data

GaAs(ガリウム砒素）の用途

GaAs（ガリウム砒素）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。

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Process Data

化合物半導体の用途

 化合物半導体は電磁波の一種である光や電波を扱うために適した半導体です。

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IGBT Power Device

IGBT向け加工技術（スパッタリング）

IGBTの製造工手の中で、電極形成に必要となるスパッタリングの技術について紹介します。

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IGBT Power Device

IGBT向け加工技術の紹介（イオン注入）

IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。

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Power Device

パワーデバイス裏面電極向けAuレスはんだスパッタ

パワーデバイスは省エネの観点から今後も大きな成長が見込まれるデバイスです。今回はそのパワーデバイスの裏面電極プロセスとして、Auを使用しない、はんだスパッタプロセスをご紹介します。

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IGBT Power Device Process Flow

IGBT向け製造プロセス

ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置 等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。

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BAW Process Data

絶縁膜向けプラズマCVD

BAWの製造プロセスで必要となる絶縁膜を形成するためのプラズマCVD技術を紹介します。
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BAW Process Data

BAWデバイス向けAlScN膜エッチング

高いエッチングレート、下部電極の掘れ量最小化、長期間メンテナンスフリーを実現する圧電膜向けエッチング技術を紹介します。
… BAWデバイス向けAlScN膜エッチング