ガス種・流量比、プロセス圧力、RFパワー等のプロセスパラメータ最適化は、エッチングレート・選択比・加工形状といった項目だけでなく、面内分布にも影響します。したがって、プロセスによる分布追求には、他の項目とのトレードオフが発生します。 … エッチング面内分布改善

ガス種・流量比、プロセス圧力、RFパワー等のプロセスパラメータ最適化は、エッチングレート・選択比・加工形状といった項目だけでなく、面内分布にも影響します。したがって、プロセスによる分布追求には、他の項目とのトレードオフが発生します。 … エッチング面内分布改善
GaAs(ガリウム砒素)はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
IGBTの製造工手の中で、電極形成に必要となるスパッタリングの技術について紹介します。
IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。
パワーデバイスは省エネの観点から今後も大きな成長が見込まれるデバイスです。今回はそのパワーデバイスの裏面電極プロセスとして、Auを使用しない、はんだスパッタプロセスをご紹介します。
ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置 等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。
BAWの製造プロセスで必要となる絶縁膜を形成するためのプラズマCVD技術を紹介します。
… 絶縁膜向けプラズマCVD
高いエッチングレート、下部電極の掘れ量最小化、長期間メンテナンスフリーを実現する圧電膜向けエッチング技術を紹介します。
… BAWデバイス向けAlScN膜エッチング