用于功率器件背面电极的无Au，SnAgCu溅射

从节能的角度来看，功率器件是一种有望在未来实现巨大增长的器件。我们将介绍不使用Au的SnAgCu溅射工艺，用于功率器件的背面电极工艺。

BAWデバイス向けSc(AlN)膜イオンミリング

BAWデバイス制作に向けて必要となる圧電膜の±1.0nm以下の平坦化で活用されるULVACの技術を紹介します。 … BAWデバイス向けSc(AlN)膜イオンミリング

BAWデバイス制作に向けて必要となる良好な膜厚分布とばらつきの少ない応力を実現するスパッタリング技術を紹介します。 … BAWデバイス向けAlScN膜スパッタリング

ノッチフリーの裏面Viaを形成するためのエッチング技術を紹介します。

高いエッチングレート、下部電極の掘れ量最小化、長期間メンテナンスフリーを実現する圧電膜向けエッチング技術を紹介します。
… BAWデバイス向けAlScN膜エッチング

IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。

ULVAC为功率器件IGBT的制造工艺提供离子注入设备和溅射设备等技术。功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。

BAWの製造プロセスで必要となる絶縁膜を形成するためのプラズマCVD技術を紹介します。
… 絶縁膜向けプラズマCVD

量産性とリフトオフ性を両立したコンタクト電極形成のための蒸着技術を紹介します。

作为自动驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源，半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介绍面向VCSEL的干法工艺。 … VCSEL制造工艺