BAWデバイス向けAlScN膜エッチング

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高いエッチングレート、下部電極の掘れ量最小化、長期間メンテナンスフリーを実現する圧電膜向けエッチング技術を紹介します。

不揮発エッチングの課題

ハード面

・容易にチャンバ内壁に着膜して しまいプラズマ不安定に繋がる。
・分布悪化

プロセス面

・メタル、圧電膜がエッチング側壁に再付着
・下部電極との選択比

AlScNのエッチングプロファイル(Φ200mmウェハ)

側壁への着膜無し、下部電極へのオーバエッチング無し

AlScN終点検知の安定性

高いエッチング分布

異なるSc含有量のAlNでも±3%のエッチング分布を実現

高いメンテナンス性

 

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