用于功率器件背面电极的无Au，SnAgCu溅射

从节能的角度来看，功率器件是一种有望在未来实现巨大增长的器件。我们将介绍不使用Au的SnAgCu溅射工艺，用于功率器件的背面电极工艺。

IGBT向け加工技術の紹介（イオン注入）

IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。

ULVAC为功率器件IGBT的制造工艺提供离子注入设备和溅射设备等技术。功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。

到目前为止，功率器件使用Si基板，但由于物理特性的限制，宽禁带半导体（如SiC和GaN）作为下一代基板的使用正在扩大。

沟槽结构可实现功率器件的小型化和低电阻，我们提供实现沟槽结构的干法刻蚀技术。 … GaN沟槽刻蚀

沟槽结构可实现功率器件的小型化和低电阻，我们提供实现沟槽结构的干法刻蚀技术。

… SiC沟槽刻蚀

提供高能量注入、高温和低温的分步注入工艺。此外，还可以提供Carbon-Cap技术，以防止在活化退火过程中由于Si蒸发而导致的基板粗糙。