IGBT制造工艺

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ULVAC为功率器件IGBT的制造工艺提供离子注入设备和溅射设备等技术。功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。

功率器件IGBT工艺流程

	1.基板
	2.B+注入使用离子注入设备
	3.绝缘膜形成通过CVD形成掩膜
	4.掩膜用绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜
	5.P+注入使用离子注入设备
	6.形成沟槽通过刻蚀形成沟槽
	7.形成绝缘膜通过CVD形成绝缘膜
	8.绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜
	9.形成Emitter电极通过溅射或蒸镀形成电极
	10.形成P+FS层通过离子注入设备形成P+FS层
	11.形成B+（Collector）通过离子注入设备形成B+（Collector）
	12.形成Collector 通过溅射或蒸镀形成Collector