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提供高能量注入、高温和低温的分步注入工艺。此外，还可以提供Carbon-Cap技术，以防止在活化退火过程中由于Si蒸发而导致的基板粗糙。
Challenges
兼顾高浓度·低浓度注入
SiC在进行高浓度注入时会发生晶体缺陷，退火也不会恢复，因此需要在高温下处理。 另一方面，众所周知，在低浓度注入中，常温注入具有更好的特性。
SiC的热扩散
由于SiC难以热扩散，因此需要更高的能量才能更深入地注入。
高温工艺引起的表面粗糙
由于 SiC 的活化温度在 1600 至 1800°C 之间，Si脱落引起表面粗糙的问题。
解决方案
高温、常温注入工艺
搭载可瞬间切换高温600℃和常温注入的Dual Platen，实现高产能
高温处理通过ULVAC独有的基板升温方式实现高温下的工艺稳定性和搬送可靠性
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| 在高浓度注入的情况下，即使进行退火，晶体也不会恢复。 | 在低浓度注入情况下，即使在室温下也维持结晶。 |
高能量注入
覆盖10kV~1.2MeV的能量、支持广泛的工艺范围。
SiC特有的高温工艺
离子注入、Carbon-Cap、退火工艺，爱发科可以提供全面工艺解决方案。
