介绍制造SAW器件所需的压电薄膜加工技术和用于电极形成的ULVAC技术。
BAW器件制造工艺
BAW 器件是一种滤波器,它利用压电体的振动来提取特定频段中的电信号。
面向BAW器件的成膜/加工技术
介绍制造BAW器件所需的压电薄膜加工技术和用于电极形成的ULVAC技术。
面向GaN HEMT构造的成膜/加工技术
绝缘膜(SiN)加工Etching
低损伤刻蚀对于仅去除SiN非常重要。可以执行 SiN 刻蚀,同时执行终点检测并保持蚀刻速度。 … 面向GaN HEMT构造的成膜/加工技术
GaN HEMT制造工艺
GaN HEMT(高电子迁移率晶体管:High Electron Mobility Transistor)是新一代功率半导体,具有低工作电阻和高抗损性,有望应用于大功率和高频电子设备。 … GaN HEMT制造工艺
GaN-HEMT结构中的Gate形成
GaN HEMT 中的Gate结构有多种模式,但都要求非常浅的加工。
沟槽构造功率器件制造工艺
到目前为止,功率器件使用Si基板,但由于物理特性的限制,宽禁带半导体(如SiC和GaN)作为下一代基板的使用正在扩大。
GaN沟槽刻蚀
沟槽结构可实现功率器件的小型化和低电阻,我们提供实现沟槽结构的干法刻蚀技术。 … GaN沟槽刻蚀
SiC沟槽刻蚀
沟槽结构可实现功率器件的小型化和低电阻,我们提供实现沟槽结构的干法刻蚀技术。
SiC功率器件离子注入
提供高能量注入、高温和低温的分步注入工艺。此外,还可以提供Carbon-Cap技术,以防止在活化退火过程中由于Si蒸发而导致的基板粗糙。