SiCパワーデバイス向けイオン注入

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高エネルギーでの注入や、高温と低温注入の使い分けが可能なプロセスを提供します。また活性化アニールの際のSi蒸発による基板荒れを防ぐカーボンキャップ技術も提供可能です。

課題

高濃度・低濃度注入の両立

SiCは高濃度注入を行うと結晶欠陥が発生し、アニールで回復しないので高温での処理が必要。一方、低濃度の注入では常温注入の方がが特性が良いことが知られている。

SiCの熱拡散

SiCは熱拡散がしにくいため、より深く注入するにはより高いエネルギーが必要。

高温プロセスによる表面荒れ

SiCの活性化温度は1600~1800℃で行われるため、Si抜けが起き表面荒れの問題を引き起こします。

 

解決策

高温、常温注入プロセス

高温600℃と常温注入を瞬時に切り替えられるDual Platen搭載し、高スループットを実現
高温処理はアルバック独自の基板の昇温方式により高温でのプロセス安定性、搬送信頼性を実現

高濃度注入の場合、アニールしても結晶が回復せず転移してしまう。 低濃度注入の場合、室温でも結晶は維持されている。

高エネルギー注入

10kV~1.2MeVまでのエネルギーをカバーし、広いプロセス範囲に対応可能

10KV~1.2MeVのボックスプロファイル

SiC特有の高温プロセスを一環で提案

イオン注入、カーボンキャップ、アニールプロセスでトータルプロセスを提供可能

イオン注入+CAP(各温度でのアニールプロセス後の表面状態)

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