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絶縁膜（SiN）加工エッチング
SiNだけを取り除くために低ダメージエッチングが重要となります。終点検知を行いエッチング速度を保ちながらSiNのエッチングを行うことが可能です。
S/D（Metal)加工エッチング
ULVACでは電極膜のスパッタと電極形成のエッチングの両プロセスを提供可能です。
VIA（Si or SiC)形成エッチング
ULVACのエッチング装置ではSi、SiCともに高いレートで実現
スパッタ（シードCu成膜）
ULVACではDegas➡酸化膜除去エッチング➡シード層成膜を一貫して行うことで高い密着性を実現可能
