PE-CVD装置
Model： CME
シリコン系の絶縁膜やバリア膜などの成膜に最適な量産用PE-CVD装置です。トレイ搬送方式を採用しており、さまざまな基板に対応可能で、優れたコストパフォーマンスを実現しています。
特長
- 27.12 MHzの高密度プラズマプロセスに対応
- SiH4系SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系SiO2膜に対応
- NF3＋Arプラズマによるチャンバークリーニングが可能
- トレー搬送方式のため、さまざまな基板種類や基板サイズへの成膜が可能
最大基板サイズ
Model： CME-200E 200mm□
Model： CME-400E 300×400mm□
Model： CME-500E 500mm□
用途
- パワーデバイス
- LED、LD、高速デバイス
- OLED
- 太陽電池
- MEMS
