絶縁膜向けプラズマCVD

This post is also available in: 簡体中国語

BAWの製造プロセスで必要となる絶縁膜を形成するためのプラズマCVD技術を紹介します。

ULVACが提供するプラズマCVDの特徴

高レートで少ないプラズマダメージを実現する27MHzのプラズマソース
ピラニゲージを用いたチャンバークリーニングの終点検知

排気メカニズム

プロセス仕様

SiNxの膜厚分布(φ200mmウェハ)

SiO2/SiNのウェハ間分布

 

お問い合わせはこちら

ULVACのプラズマCVD装置の紹介はこちら