絶縁膜向けプラズマCVD

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BAWの製造プロセスで必要となる絶縁膜を形成するためのプラズマCVD技術を紹介します。

ULVACが提供するプラズマCVDの特徴

高レートで少ないプラズマダメージを実現する27MHzのプラズマソース
ピラニゲージを用いたチャンバークリーニングの終点検知

排気メカニズム

プロセス仕様

SiNxの膜厚分布（φ200mmウェハ）

SiO2/SiNのウェハ間分布

 

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