BAWデバイス製造プロセス

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BAWデバイスとは圧電体のバルクの振動を利用して特定の周波数帯の電気信号を取り出すフィルタです。

	1. 下部電極形成
	2. 下部電極加工
	3. 圧電膜形成+トリミング（Sc)AlNの成膜および平坦化向けにスパッタ装置とイオンミリング装置を提供 BAWデバイス向けスパッタリング技術の紹介 BAWデバイス向けイオンミリングの紹介５Gデバイス向けのサブナノメートル平坦化用イオンミリング装置「IM-2000」を開発、販売開始
	4. 圧電膜加工下地電極の掘れ量最小化を実現したエッチング技術を提供 BAWデバイス向け(Sc)AlNエッチング技術の紹介
	5. 上部電極膜
	6. 上部電極加工
	7. 絶縁膜形成 BAWデバイス向けPECVD技術の紹介
	8. 絶縁膜加工
	9. 裏面Via加工ノッチフリーの裏面Via加工を提供 BAWデバイス向け裏面Via技術の紹介
	10. コンタクト電極形成リフトオフ蒸着による高い量産性を実現 BAWデバイス向けLiftoff蒸着の紹介

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