BAWデバイス向けSc(AlN)膜イオンミリング

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BAWデバイス制作に向けて必要となる圧電膜の±1.0nm以下の平坦化で活用されるULVACの技術を紹介します。

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5Gデバイス向けのサブナノメートル平坦化用イオンミリング装置 「IM-2000」を開発、販売開始

AlNイオンミリング(スパッタ)

5G高周波フィルター向けの、SAW、BAWデバイス上に成膜されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の膜厚データをもとに、サブナノメートルレンジでの膜厚コントロールで、±1.0nm以下の平坦化を実現します

Zeroトリミング

ビームは固定で、XY軸のみ高速でStageが動きます。凹のときは、ビームをフィルターで覆い、凸のときは、ビームでトリミングします。Zero トリミングとは、凸凹のない、フラットの面を形成することが可能です。

リアクティブイオンミリング

反応性ガスを用いることでRaが大幅に改善

省スペース化の実現

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