５Gデバイス向けのサブナノメートル平坦化用イオンミリング装置 「IM-2000」を開発、販売開始

　株式会社アルバックは、イオンミリング装置*の販売を開始します。同装置は、５G高周波フィルター向けの、SAW、BAWデバイス上に成膜されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の膜厚データをもとに、サブナノメートルレンジでの膜厚コントロールで、±1.0nm以下の平坦化を実現可能にした装置です。

　新装置を用いたプロセスのアプリケーションは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜のみならず、フッ素系ガスを用い、モリブデンなどのメタル膜をも削ることができます。SAW、BAWデバイスに限らず、Waferを用いた工程なら、他のアプリケーションへの適用も期待できます。

【アルバック　イオンミリングプロセスの特長】

　Arガスミリング、フッ素系ガスミリングの２種類のイオンガンを準備し、デバイスに合わせた適切なプロセスを提案することができます。

①様々な基板 (Si、SiC、LN、LT) に対応できます。
②ICP-Ion Gun（Arガス仕様）　SiO₂、SiN、Mo膜の平坦度を1nm以下にできます。
③ICP-Ion Gun（フッ素系ガス仕様）　AlNのRaの改善や、レジストマスクを使用したデバイス処理時のレジスト残りを低減できます。

【装置仕様】

*弊社のイオンミリング装置とは、

観察対象の試料の表面に収束させたイオンビームを照射し、対象試料の表面の凸部を削って平らに加工する装置です。

以　上

弊社関連サイト

　アルバックのBAWデバイス向けSc(AlN)膜イオンミリング技術はこちら
　https://www.ulvac.co.jp/wiki/process_g_baw_ion-milling
　

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