PE-CVD装置
Model： CC-200
小型で使いやすく、研究開発から少量生産まで対応できるPE-CVD装置です。
特長
- 27.12MHzの高密プラズマプロセスに対応
- SiH4系： SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：SiO2膜に対応
- CF4＋O2プラズマによるチャンバークリーニングが可能
- OLED向けの低温成膜用ヒーター対応可能
- トレー搬送により多様な基板サイズに対応
用途
- パワーデバイス
- LED、LD、高速デバイスなどの化合物関連
- OLED開発
- 太陽電池開発
- MEMS
