ドライエッチング装置
Model：uGmni-200E
1チャンバーからマルチチャンバーに対応し、コストパフォーマンスを重視した拡張性があるドライエッチング装置です。
特長
- RF投入窓のデポ物付着防止用「スター電極」を搭載。加熱機能を有して再現性と安定性を向上
- ISM-duo（オプション）により均一制御が可能（専用の内外周分離型アンテナへのRF分配比率による）
- 当社比2倍のガス流量が対応可能なプロセス室（オプション）
- プロセス室の高温加熱も選択が可能
- 追加エッチングチャンバー、アッシングチャンバーが搭載可能
- アッシングチャンバーは、メタルエッチング後のコロージョン防止のため、加熱ステージでのマイクロ波水プラズマ処理が選択可能
- 装置構造がシンプルでメンテナンスが容易
- ダミー専用カセットやアライナ機構の追加が可能で、量産ツールとして多様なプロセスに対応が可能
- 再生洗浄、パーツ提供、メンテナンス、トレーニングサービスなど、総合的なバックアップ体制を提供
用途
- 化合物（LED、LD、VCESL、高周波デバイス、通信デバイス）やパワーデバイス（IGBT配線加工、SiC加工）
- メタル配線や層間絶縁膜（樹脂系）、ゲート電極加工プロセス
- 強誘電体材料や貴金属エッチング
- 磁性体材料加工
