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下部電極であるPtとの高い選択性を持つPt/PZTエッチングプロセスを提供します。（選択比例：PZT/Pt＞5@8inch, ＞10@6inch）
また下地の掘れ量を最小化する高均一性(＜+/-3%@8inch)と精密な終点検出を提供します。
課題
・パターン側壁への付着
難エッチング材料のため、エッチング生成物が側壁に付着しやすい
・下部電極との選択比
膜構成が数μmのPZT膜と約100nmの金属電極で構成されており、下部電極を残す8インチプロセスが困難
・安定した生産
EPD信号の低下などにより安定した生産が困難
解決策
・PZT多層膜専用のプラズマソース活用
エッチング分布3%以下を達成。側壁デポがなく、Pt/PZTの選択比＞5＠8inchウェハーを実現（＞10@6inchウェハー）
・高均一性と精密な終点検出により、各エッチング膜下部の層の掘れ量を最小化
・EPD信号の低下やエッチングレートの低下のないハードで安定生産が可能
6-8インチで安定した生産が可能
Etching Profile Uniformity of Pt/PZT Film @ 8inch
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8インチの全面において下部Ptを残すプロセスを安定的に提供
Material : Pt/PZT/Pt Mask : Photo Resist Size : Depth 100/3000/100nm ER : Pt > 200nm/min PZT > 150nm/min Selectivity : Resist/PZT > 0.6 PZT/Pt > 5.0 |
End point detecting results of various layers
