圧電MEMS向けPZT膜エッチング

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下部電極であるPtとの高い選択性を持つPt/PZTエッチングプロセスを提供します。​(選択比例:PZT/Pt>5@8inch, >10@6inch)​
また下地の掘れ量を最小化する高均一性(<+/-3%@8inch)と精密な終点検出を提供します。

課題

・パターン側壁への付着

難エッチング材料のため、エッチング生成物が側壁に付着しやすい

・下部電極との選択比

膜構成が数μmのPZT膜と約100nmの金属電極で構成されており、下部電極を残す8インチプロセスが困難

・安定した生産

EPD信号の低下などにより安定した生産が困難

 

解決策

・PZT多層膜専用のプラズマソース活用

エッチング分布3%以下を達成。側壁デポがなく、Pt/PZTの選択比>5@8inchウェハーを実現(>10@6inchウェハー)

・高均一性と精密な終点検出により、各エッチング膜下部の層の掘れ量を最小化

・EPD信号の低下やエッチングレートの低下のないハードで安定生産が可能

6-8インチで安定した生産が可能

 

Etching Profile Uniformity of Pt/PZT Film @ 8inch

8インチの全面において下部Ptを残すプロセスを安定的に提供

Material : Pt/PZT/Pt

Mask : Photo Resist

Size : Depth 100/3000/100nm

ER : Pt > 200nm/min  PZT > 150nm/min

Selectivity : Resist/PZT > 0.6  PZT/Pt > 5.0

 

End point detecting results of various layers

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