This post is also available in: 英語 簡体中国語
下部電極であるPtとの高い選択性を持つPt/PZTエッチングプロセスを提供します。(選択比例:PZT/Pt>5@8inch, >10@6inch)
また下地の掘れ量を最小化する高均一性(<+/-3%@8inch)と精密な終点検出を提供します。
課題
・パターン側壁への付着
難エッチング材料のため、エッチング生成物が側壁に付着しやすい
・下部電極との選択比
膜構成が数μmのPZT膜と約100nmの金属電極で構成されており、下部電極を残す8インチプロセスが困難
・安定した生産
EPD信号の低下などにより安定した生産が困難
解決策
・PZT多層膜専用のプラズマソース活用
エッチング分布3%以下を達成。側壁デポがなく、Pt/PZTの選択比>5@8inchウェハーを実現(>10@6inchウェハー)
・高均一性と精密な終点検出により、各エッチング膜下部の層の掘れ量を最小化
・EPD信号の低下やエッチングレートの低下のないハードで安定生産が可能
6-8インチで安定した生産が可能
Etching Profile Uniformity of Pt/PZT Film @ 8inch
![]() |
8インチの全面において下部Ptを残すプロセスを安定的に提供
Material : Pt/PZT/Pt Mask : Photo Resist Size : Depth 100/3000/100nm ER : Pt > 200nm/min PZT > 150nm/min Selectivity : Resist/PZT > 0.6 PZT/Pt > 5.0 |