CVD装置
枚葉式PE-CVD装置CME-200E/400
枚葉式PE-CVD装置 CME-200E/400は、シリコン系の絶縁膜・バリア膜等の成膜に最適な、量産用PE-CVD装置です。
特長
- 27.12MHzの高密度プラズマプロセス
- SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：SiO2膜の対応可能
- NF3+Arプラズマによるチャンバークリーニング可能
- 有機EL向けに低温成膜用ヒーター搭載可能
- トレー搬送で、最大□200mmまで(CME-200E)の基板サイズに対応(CME-400:300×400に対応)
用途
- パワーデバイス
- LED、LD、高速デバイス
- 有機EL
- 太陽電池
- MEMS
