CVD装置
ロードロック式プラズマCVD装置CC-200
ロードロック式プラズマCVD装置CC-200は、小型で使いやすく、研究開発から生産までに対応した装置です。
特長
- 27.12MHzの高密プラズマプロセス
- SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：SiO2膜の対応可能
- CF4+O2プラズマによるチャンバークリーニング可能
- 有機EL向けの低温成膜用ヒーター対応可能
- トレー搬送で多様な基板サイズに対応
- 真空ボックスによりCシリーズ間での間接連続プロセス可能 (Sputter: CS-200, Evaporation: CV-200).
用途
- パワーデバイス
- LED、LD、高速デバイス等の化合物関連
- 有機EL開発
- 太陽電池開発
- MEMS
