イオン注入装置
Model：SOPHI
パワーデバイス、IGBT向けにトップシェアを有する中電流対応のイオン注入装置です。
特長
- 極薄ウェーハが直接搬送で処理可能
- 反り基板の直接搬送や、高精度のオリフラ合わせも可能
- 平行ビームで高精度注入が可能
- シングルイオンでSOPHI-200は200kV、SOPHI-260は260kV加速可能
- メンテナンス性が良く、CoOが低い
- オプションで5kVから低エネルギー注入が可能
- Φ125mm、Φ150mm、Φ200mm基板に対応
用途
- 半導体、電子部品
- パワーデバイスなど薄型基板プロセス、SiCプロセス
- R&D
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
仕様
| Model | SOPHI-200 | SOPHI-260 |
| 基板サイズ（mm） | Φ100～200 | |
| エネルギー範囲 | 最大600keV | 最大780keV |
| 最大ビーム電流 | 2500eμA | |
| イオン種 | B、P、As、Si、Ge、Sb、In | |
