IGBT向け加工技術の紹介(イオン注入)

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IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。

P+,N+ Field Stop層形成

P+,N+ Field Stop層の形成には、プラズマ源IHCを使用しているイオン注入装置が使用されます。IHCはIndirect Heat Currentの略で、特徴は、フィラメントがDirectにプラズマ表面に晒されないので長寿命です。

原理はフィラメントから熱電子が放出され、それがカソードの衝突し、カソードから電子が放出され、リペラーで反射されながら電子が導入されたガスにぶつかりプラズマを形成していきます。

ULVACのイオン注入装置SOPHI-400で本機構を採用しております。

N+ Field Stop層形成

N+ Field Stop層形成には、プラズマ源ECRを使用しているイオン注入装置が使用されます。

ECRはElectron Cyclotron Resonanceの略で、特徴は、6価含む多価のイオンを比較的多く作れることです。又、6価でも十分なビーム電流が得れるスペックであることです。

UULVACのイオン注入装置SOPHI-400ECRで本機構を採用しております。


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