IGBT向け製造プロセス

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ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。

	1.基板
	2.B+注入イオン注入装置を使用します。
	3.マスク用絶縁膜形成 CVDでマスク形成をします。 CVD装置の紹介
	4.マスク用絶縁膜加工エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。
	5.P+注入イオン注入装置を使用します。
	6.トレンチ形成エッチングでトレンチを形成します。ドライエッチング装置の紹介
	7.絶縁膜形成 CVDで絶縁膜を形成します。 CVD装置の紹介
	8.絶縁膜加工エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。
	9.Emitter電極形成スパッタリングや蒸着で電極形成をします。スパッタリング装置の紹介
	10.P+ FS層形成イオン注入装置でP+FS層を形成します。イオン注入装置の紹介
	11.B+(Collector)形成イオン注入装置でB+(Collector)を形成します。 IGBT向け加工技術の紹介(イオン注入) イオン注入装置の紹介
	12.Collector形成スパッタリングや蒸着でCollector形成します。 IGBT向け加工技術の紹介(スパッタリング) スパッタリング装置の紹介