IGBT向け製造プロセス

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ULVACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置 等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはInsulated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。

パワーデバイスIGBTのプロセスフロー 

1.基板

2.B+注入

イオン注入装置を使用します。

3.マスク用絶縁膜形成

CVDでマスク形成をします。

CVD装置の紹介

4.マスク用絶縁膜加工

エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。

5.P+注入

イオン注入装置を使用します。

6.トレンチ形成

エッチングでトレンチを形成します。

ドライエッチング装置の紹介

7.絶縁膜形成

CVDで絶縁膜を形成します。

CVD装置の紹介

8.絶縁膜加工

エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。

 

9.Emitter電極形成

スパッタリングや蒸着で電極形成をします。

スパッタリング装置の紹介

 

10.P+ FS層形成

イオン注入装置でP+FS層を形成します。

イオン注入装置の紹介

11.B+(Collector)形成

イオン注入装置でB+(Collector)を形成します。

IGBT向け加工技術の紹介(イオン注入)

イオン注入装置の紹介

12.Collector形成

スパッタリングや蒸着でCollector形成します。

IGBT向け加工技術の紹介(スパッタリング)

スパッタリング装置の紹介

ULVACのキーテクノロジー

Ion Implantation

・FS層向けリン注入によりIGBT性能向上

・FS層向け水素注入によるCost低減

Sputtering

・薄ウエハー搬送可能

・応力調整

Etching

・Trench構造にも対応

PE-CVD

・27MHz駆動の低Damage Plasma

・基板Biasによる膜応力controlも可能

 

本プロセスに関するお問い合わせはこちら

https://www.ulvac.co.jp/contact/elec_inquiry/