イオン注入装置
Model： IH
パワーデバイス、SiCデバイス向けの高温/常温対応の高エネルギーイオン注入装置です。
特長
- 高温/常温の切り替えが瞬時に可能
- 自動連続高温処理注入が可能
- １価イオンで400keV、2価イオンで800keV、3価イオンで1200keVまで対応
- 高スループット
Dual Platen（高温ステージ and 冷却ステージ、ULVAC patent）
※高温ステージと冷却ステージを瞬時に切替可能／高温静電チャックの電圧パルス印加
※急速な加熱による基板ダメージの軽減／プレヒート室による加熱時間の短縮 - チェーン注入可能なため、オペレーターの負荷軽減
- コンパクト設計
- 試作から量産まで幅広く対応可能
- IH-860PSICはΦ150mm、IH-1200PSICはΦ200mm基板まで対応
用途
- SiC向けイオン注入装置
- MEMS
仕様
| Model | IH-860PSIC | IH-1200PSIC |
| 基板サイズ（mm） | 最大Φ150 | 最大Φ200 |
| エネルギー | 最大1200keV | 最大1200keV |
| 最大ビーム電流 | Al+ 1300eμA Al++ 400eμA |
Al+ 2600eμA Al++ 800eμA N＋2000eμA |
| ドーズ範囲 | 1E11~1E16 | 1E11~1E16 |
| イオン種 | P、B、Ar、Al、N | P、B、Ar、Al、N |
