Model:SOPHI|イオン注入装置|製品紹介|アルバック
イオン注入装置

Model:SOPHI

パワーデバイス、IGBT向けにトップシェアを有する中電流対応のイオン注入装置です。

特長

  • 極薄ウェーハが直接搬送で処理可能
  • 反り基板の直接搬送や、高精度のオリフラ合わせも可能
  • 平行ビームで高精度注入が可能
  • シングルイオンでSOPHI-200は200kV、SOPHI-260は260kV加速可能
  • メンテナンス性が良く、CoOが低い
  • オプションで5kVから低エネルギー注入が可能
  • Φ125mm、Φ150mm、Φ200mm基板に対応

用途

  • 半導体、電子部品
  • パワーデバイスなど薄型基板プロセス、SiCプロセス
  • R&D
  • VCSEL
  • SOI/LNOI
  • MEMS

仕様

Model SOPHI-200 SOPHI-260
基板サイズ(mm) Φ100~200
エネルギー範囲 最大600keV 最大780keV
最大ビーム電流 2500eμA
イオン種 B、P、As、Si、Ge、Sb、In

このサイトでは、お客様の利便性や利用状況の把握などのためにCookieを使用してアクセスデータを取得・利用しています。Cookieの使用に同意する場合は、
「同意しました」をクリックしてください。「個人情報保護方針」「Cookie Policy」をご確認ください。

同意しました