アッシング装置
Model： NA
ウェーハとパネル対応の2タイプを提供するアッシング装置です。ウェーハ対応モデルは、次世代ウェーハプロセスからウェーハレベル実装工程まで幅広いプロセスに対応できるウェーハサイズフリー設計で、半導体実装工程に採用率No.1の装置です。 パネル対応モデルは、最大600mm□に対応し、大型パネルでも均一にDescum処理やTiエッチングを行うことができます。
特長
Model： NA-8000, 1300
- ダメージフリーなイオンインプラント剥離プロセスおよびポリマー除去プロセスを実現可能
- F系Gas添加プロセスに最適なチャンバ−構成になっており、パーティクルフリーで対応可能です。このためノーマルPRから イオンインプラント剥離・有機膜はく離（PI、DFRなど）剥離・酸化膜エッチングなど非常に幅広いプロセス構築が可能です。
- F系ガス添加プロセスに最適なチャンバー構成により、パーティクルフリー対応が可能。これにより、ノーマルPR、イオンインプラント剥離、有機膜剥離（PI、DFRなど）、酸化膜エッチングなど、幅広いプロセスに対応可能
- シンプルな装置構成を採用し、優れたメンテナンス性と高い信頼性、さらに低コストを実現
- チャンバー構成の選択肢（μ波、RIE、μ波＋RIE）により、プロセスに応じた最適な設定が可能
- レシピ設定で簡単にウェーハサイズの変更可能
Model： NA-1500
- μ波ダウンフローおよびRFバイアスの選択が可能
- Tiシード層のエッチングやDescum、その他の表面処理プロセスにも対応
- アッシング以外の新しいプロセスとして、表面処理や親水化処理にも対応が可能
用途
- フロントエンドプロセスにおける イオンインプラント剥離プロセス（1 x 1016atoms/cm2以上）やポリマー除去
- CF4添加プロセスが必要なウェーハプロセス（電子部品、LED）
- チップサイズパッケージやBUMP工程
- CCDカラーフィルター製造プロセス
- Descum、Desmear
- 表面改質（撥水性→親水化，親水性→撥水化）めっきなどWet工程の前処理，アンダーフィル前処理
- 樹脂系材料のアッシング
- Seed層Tiのエッチング
- SiO2, SiNのエッチング
仕様
| Model | NA-8000 | NA-1300 | NA-1500 |
| 基板サイズ（mm） | Φ100～200 | Φ200、 Φ300 | 最大600mm□ |
| プロセス室 | 1 | 2～6 | 2 |
| プラズマソース | MW、RF | MW、VHF、RF | |
| 用途 | R&D～少量生産 | 量産用 | パネル実装 |
