PE-CVD装置
Model：uGmni-200C
uGmniの標準コアに、PE-CVDモジュールを搭載した装置です。トレイ式装置と比較して、低パーティクルで、高品質の成膜を実現します。
特長
- 27.12 MHzの高密度プラズマプロセスに対応
- SiH4系：SiO2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS系：SiO2膜に対応
- NF3＋Arプラズマによるチャンバークリーニングが可能
- 最大Φ200mm基板に対応
用途
以下一例です。
- パワーデバイス シード＆メタル層形成スパッタリング
- MEMSセンサー PZT成膜＆加工エッチング
- 光学デバイス VCSEL加工エッチング
- 高密度実装 Descumアッシング
- 通信デバイス 絶縁膜成膜＆加工PE-CVD