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PE-CVD装置

Model: CMD

SiH4やTEOSなどを用いたa-Si膜、シリコン酸化膜、窒化膜成膜用マルチチャンバー式PE-CVD装置です。

特長

  • 高温プロセスに対応した高信頼性搬送システム
  • 長期間にわたる安定した成膜レートの実現
  • 高温対応(Max 550℃)&良温度分布のアニール室

用途

  • 高精細ディスプレイ用TFT
  • タッチセンサーパネル

仕様

Model G4.5 G5.5 G6
CMD-950 CMD-1500HT CMD-1800HT
基板サイズ(mm) 730 × 920 1300 × 1500 1500 × 1850
部屋構成 1) 仕込/取出室 2室 1室(1ボート2段タイプ)
2) 加熱室 1室
3) 搬送室 1室
4) 反応室 最大 5室
(加熱室設置の場合 4室)
最大 6室
(加熱室設置の場合 5室)
真空排気系 ドライポンプ+メカニカルブースターポンプ
基板移載システム 真空ロボット (2段 アーム)

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