IGZOターゲット 高移動度材料|材料|製品紹介|アルバック
材料

IGZOターゲット 高移動度材料

アルバックでは、IGZO TAOS (In、Ga、Zn、Oを用いた透明アモルファス酸化物半導体)で使用されるIGZO ターゲットを製造、販売しています。 パーティクルを抑制するためターゲットの高密度化、分割数削減に取り組むとともに、世界のほとんどのディスプレイメーカーに対し、高品質なIGZOターゲット材料、IGZO用スパッタリング装置、プロセスをトータルで納入しています。また、アルバックは長さ約3mの大型IGZOターゲット材料の開発に成功しました。この大型IGZOターゲットは、TFT特性の劣化を抜本的に解決すると期待されています。

さらにディスプレイメーカーの要望に応じて、アルバック独自に開発した高移動度酸化物半導体ターゲットも開発し、従来のIGZOターゲットの3倍程度の移動度(10cm2/Vs)を実現しています。

特長

IGZO ターゲット

  • 高密度化、分割数削減により高品質なターゲット
  • パーティクルが少なく、膜特性が安定
  • 大型量産機による量産が可能
  • 3mの大型IGZOターゲットを提供可能
  • さまざまなIn:Ga:Zn比や添加系の製作実績

高移動度

  • アルバックのオリジナル組成
  • アモルファス酸化物半導体でIGZOの3倍程度の移動度
  • 量産を考慮した広いプロセスマージン(アルバックテクニカルジャーナルをご参照ください)

用途

  • 液晶、有機EL、次世代ディスプレイ

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