イオン注入装置
Model： SOPHI-400
パワーデバイス、IGBT向けにトップシェアを持つMax1200keVまで対応が可能な高エネルギーのイオン注入装置です。
特長
- 極薄ウェーハを直接搬送で処理が可能
- 反り基板の直接搬送、高精度のオリフラ合わせも可能
- 1価で400kV加速が可能
- 平行ビームで高精度注入が可能
- メンテナンス性が良く、CoOが低い
- オプションで5kVから低エネルギー注入が可能
用途
- パワーデバイスなど薄型基板プロセス、IGBTプロセス
- VCSEL
- SOI/LNOI
- MEMS
仕様
| Model | SOPHI-400 |
| 基板サイズ（mm） | Φ125～Φ200 |
| エネルギー | Up to 1200keV |
| 最大ビーム電流 | 1300eμA |
| イオン種 | P 、H |
