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SAWデバイスとは、圧電体の薄膜、もしくは基板上に形成された規則性のあるくし形電極により弾性表面波を励振させる構成をもつフィルターデバイスです。
SAWデバイスのプロセスフロー
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1A. スパッタリング、エッチングによるIDT電極加工
1A-1. IDT電極成膜
Metal（Al, Mo, W)スパッタ、基板には圧電性のあるLT、LNが利用されます。また、この電極は膜厚分布も重要です。
マルチチャンバ型スパッタリング装置紹介
1A-2. IDT電極加工
SAWとは表面弾性波の略であり、IDT（櫛歯）電極のPitchで周波数が決まりますので、Lithographyと加工で定義されます。
電極パターンの形成には従来技術としてリフトオフ法が用いられてきましたが，電極間が1 μm 以下になるような微細プロセスにはドライエッチング法が必要になってきます．
（周波数とIDT Pitchの関係は凡そ、0.8GHzで1um幅、2.5GHzで0.4um幅、5.0GHzで0.18um幅）
SAWデバイス向け成膜/加工技術の紹介
1A-3. レジスト除去
リフトオフ後の残渣除去にアッシングで対応
アッシング装置紹介 |
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1B. リフトオフ蒸着によるIDT電極加工
1B-1. IDT電極蒸着
膜質はAl, Cuになります。長距離TSを実現し膜厚分布改善が可能です。
SAWデバイス向け成膜/加工技術の紹介
蒸着装置紹介
1B-2. レジスト除去
リフトオフ後の残渣除去にアッシングで対応
アッシング装置紹介 |
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2. 温度補償膜
スパッタリングでSiO2を成膜 |
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3. 膜厚調整加工
SiO2のHalf Etchingを行います。
SAWデバイス向け成膜/加工技術の紹介 |
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4. 膜厚平坦加工
イオンミリングでトリミングを実施します
SAWデバイス向け成膜/加工技術の紹介
イオンミリング装置紹介 |
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5. コンタクトホール加工
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6. コンタクト電極形成
リフトオフによるメタル蒸着とレジスト剥離を行います。 |
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7. 保護膜形成
スパッタリングでSiNを成膜します。 |
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8. 膜厚調整加工
SiNのHalf Etchingを行います。 |
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9. 膜厚平坦加工
イオンミリングでトリミングを実施します |
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10. コンタクト開口
SiNのエッチングを行います。 |
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11. レジスト剥離と残渣除去
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