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SAW器件是一种滤波器,其结构是通过在衬底上形成的压电材料薄膜或规则的梳状电极激发表面声波。
SAW器件的工艺流程
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1A. IDT电极加工(Sputtering & Etching)
1A-1. IDT电极成膜
金属(Al, Mo, W)溅射、基板使用有压电性的LT、LN。另外,这个电极的膜厚分布也很重要。
1A-2. IDT电极加工
SAW是声表面波的简称,其频率由IDT(梳状)电极的Pitch决定,它由光刻和加工定义。
在形成电极图案时,传统技术是lift off法,但电极之间小于1μm的微细工艺需要干法蚀刻方法。
(频率和IDT Pitch的关系大约为0.8GHz时为1um宽度,2.5GHz时为0.4um宽度,5.0GHz时为0.18um宽度)
面向SAW滤波器的成膜/加工技术
1A-3. Ashing除去
通过Ashing除去lift off后的残渣。 |
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1B. IDT电极加工(Liftoff蒸镀)
1B-1. IDT电极蒸镀
膜质为Al、Cu,实现长距离TS,可以改善膜厚分布。
面向SAW滤波器的成膜/加工技术
1B-2. Ashing除去
通过Ashing除去lift off后的残渣。 |
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2. 温度补偿膜
通过溅射,成SiO2膜。 |
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3. 膜厚调整加工
进行SiO2的Half Etching。
面向SAW滤波器的成膜/加工技术 |
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4. 膜厚平滑加工
用Ion milling进行Trimming。
面向SAW滤波器的成膜/加工技术 |
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5. Contact Hole加工
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6. Contact电极形成
通过lift off 进行金属蒸镀和resist剥离。 |
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7. 保护膜形成
通过溅射,SiN成膜。 |
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8. 膜厚调整加工
进行SiN的Half Etching。 |
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9. 膜厚平滑加工
用Ion milling进行Trimming。 |
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10. Contact开口
进行SiN的刻蚀。 |
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11. Resist剥离及残渣去除
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