スパッタリング装置
Model： SEGul-200
当社が独自に開発したRaSE法（Radical assist Sputter Epitaxy）を用いたこの装置は、パワーデバイス、オプトデバイス、RFデバイス用途に使用されるGaNのエピタキシャル成長を実現します。この技術により、素子設計の自由度、コスト、環境負荷といったGaNデバイス製造における課題を解決します。
特長
- 膜厚＆抵抗分布±10%（Φ200mmエリア）
- スパッタリングのため、特ガス除害設備が不要
- プロセス室は最大3室搭載可能
開発～量産運用まで対応 - Φ50mm～Φ200mm基板に対応
RaSE法の特長
- プロセス温度 600～800℃
- ドーピングによるn型GaN成長
- 使用ガス種：Ar、N2
用途
- パワーデバイス
- 通信デバイス
- μLED