材料
半導体製造装置向け
半導体製造装置向け
スパッタリングターゲット
最先端薄膜材料をリードする アルバックの半導体用ターゲット材料は、「低パーティクル」「均質な膜厚分布」「高い使用効率」を品質目標として、材料ごとに製造方法を検討して開発製造された高品質なスパッタリングターゲットです。
特長
- 半導体用アルミニウムターゲットは、不純物金属成分や酸素などのガス成分を低減した材料を提供し、スパッタリング時のパーティクル発生を抑制
- 半導体用高純度ター ゲット（W、Co、Ti）は、金属組織の微細、均質化に留意した製造プロセスを採用
例）高純度コバルトターゲット：金属組織の微細、均質化により、ターゲッ卜表面上の漏洩する磁束のバラツキを最小化
例）タングステンターゲット：顧客要求に応じて結晶粒径のコントロールやガス成分の低減が可能 - SPC管理による万全の品質保証
半導体装置用スパッタリングターゲット材料
| 応用分野 | 材質 | 使用目的 |
|---|---|---|
| 電極材料 | W （5N） | ゲート |
| WSi（5N） | ゲート | |
| Co（5N） | ゲート | |
| Ni（5N） | ゲート | |
| Ti（5N） | バリアなど | |
| 各種シリサイド（4N up） | ||
| 配線材料 | Al（5N、5N5）及びAlCuなどのAl合金（5N、5N5） | 配線層 |
| SiO2（4N、6N） | 絶縁材料 | |
| 実装配線用 | Al（5N、5N5）及びAl合金（5N、5N5） | 配線 |
| Cu（4N） | 配線 | |
| Cr（3N） | バリア | |
| TiW（4N up） | バリア | |
| Ni（5N） | バリア | |
| キャパシタ材料用 | BST | DRAMキャパシタ/薄膜コンデンサー |
| PZT | FeRAM | |
| バリア材料 | Ti（4N5） | |
| TiW（4N up） |
主要300mmWafer 用ターゲット材料
| ターゲット材料 | Al-0.5mass%Cu | Ti | W | WSi |
|---|---|---|---|---|
| 純度 | 5N5up（低 U、Th 仕様） | 5N | 5N | 5N |
| バッキングプレート材質 | Al合金材もしくはCu合金 | Al合金 | Al合金材もしくはCu、 Cu合金 | Al合金材もしくはCu、 Cu合金 |
| 接合方法 | エレクトロンビーム溶接 、一体構造品もしくはメタルボンデインク | 拡散接合 | メタルボンディンク、ディフュージョンボンディング | メタルボンディンク |