ECTC2020にて高密度FOWLP向けポリイミドファインビアエッチングと低損傷表面改質プロセスについて発表します|ニュース|アルバック
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2020.05.18
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ECTC2020にて高密度FOWLP向けポリイミドファインビアエッチングと低損傷表面改質プロセスについて発表します

株式会社アルバックは、第70回Electronic Components and Technology Conference (IEEE ECTC 2020) において、高密度FOWLP向けポリイミドファインビアエッチングと低損傷表面改質プロセスについて発表します。

発表題目 「Polyimide Fine-via Etching and Low-damage Surface-modification Process For High-density Fan-out Wafer Level Package」
発表日時 2020年6月3日 - 6月30日 オンライン会議にて公開

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