ターゲット材料と酸素や窒素を反応させて成膜する手法。

Metalターゲットを用いて、スパッタリングさせるために必要な希ガス元素であるArとMetalターゲットと反応させたいガス(酸素や窒素)をチャンバー内に導入し、スパッタリングを行い薄膜を形成する手法。

Metalターゲット材料によっても異なるが、酸素や窒素ガスを導入して成膜を行うと、成膜Rateが低下する場合がある。

(例:Metalターゲット：Al　＋　酸素　＝　Al2O3)