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パワーデバイスは省エネの観点から今後も大きな成長が見込まれるデバイスです。今回はそのパワーデバイスの裏面電極プロセスとして、Auを使用しない、はんだスパッタプロセスをご紹介します。
パワーデバイス（IGBT）のはんだ実装
こちらはパワーデバイスのIGBT素子の構造となります。パワーデバイスは基板の縦方向に電流が流れるデバイスになりますので、裏面側にも電極成膜が必要となります。
この裏面電極の役割としては、大きく２つあります。
一つ目は、Siデバイス基板とのオーミックコンタクトをとること。二つ目は、放熱基板へ、このデバイスをはんだ接合するための役割があります。
新プロセス Auレスはんだスパッタ
従来プロセスと新プロセスの違いは以下になります。
・Au表面層の代替として、真空中にてはんだ層を直接スパッタする。
・はんだ層をスパッタした後、はんだペーストにて厚膜化を行う。
Auレスはんだスパッタの目的
スパッタリング装置SRH-420での検証
スパッタリング装置SRH-420での信頼性評価結果
Auレスはんだスパッタのコスト試算
