This post is also available in: 英語 簡体中国語
(※この記事は、2015年6月発行のテクニカルジャーナルMo.79に掲載されたもので、内容は取材時のものです。)
3. OLED用薄膜封止装置構成
薄膜封止用の積層成膜をするため，PECVD法のSiNx成膜室と気化法のAcryl成膜室を搭載した装置をFigure6に示す．基板搬送ロボットが搭載されたコア室の周辺に，SiNx成膜室4室とAcryl成膜室2室，及び，ロード室とアンロード室の各1室が接続されている．この構成で，当社推奨膜厚（SiNx/Acryl/SiNx＝400nm/250nm/400nm）を処理した場合，180秒タクトの生産が実現できる．SiNx成膜室は，27.12MHz並行平板式電極を搭載したプラズマCVD装置であり，先に述べたように，優れたバリア性などのプロセス特性を有する上，成膜レートは400nm/min以上，分布はG4.5クラスで±5％以下（基板端部10mmを除く）の実力を持ち，デバイス構成によっては，SiOxNy膜，SiOx膜の成膜も可能である．パターン付マスクを採用する場合は，CCDカメラによる±3μmの性能を有するアライメント機構も搭載可能である．
Acryl成膜室は，成膜と硬化という2つのプロセスを1つのチャンバーで処理する．下部に成膜ユニット，上部に硬化を行うUVランプユニットを搭載しており，他社に比べて非常にコンパクトな構造であることが特徴である．成膜レートは700nm/min以上，分布はG4.5クラスで±6％以下（基板端部10mmを除く）の実力を有する.
４．おわりに
ご紹介した技術は，当社推奨膜厚（SiNx/Acryl/SiNx＝400nm/250nm/400nm）にて60℃，相対湿度90％（以下90％RH）の高温高湿環境下で500時間以上の耐久能力がある．
今後，封止技術は，次世代フレキシブルデバイスの実用化に向けて，高い封止性能と高い屈曲特性が求められていく．当社茅ヶ崎本社・工場には本稿で紹介させていただいたSiNx成膜室とAcryl成膜室を有するG4.5検証デモ機を保有しており，今後も開発を継続していく．
(※この記事は、2015年6月発行のテクニカルジャーナルMo.79に掲載されたもので、内容は取材時のものです。)
文 献
1） C. W. Tang, et al.: Appl. Phys. Lett., 51, 913（1987）.
2） J. Lewis, Material Today, Number 4, Volume 9（2006）.
3） http://www.oled-info.com/oled-encapsulation
4） 台湾経済部工業局財団法人工業技術研究院＆台湾電子設備協会（TEEIA）2014
5） G. Nisato, et al.: Proc. Soc. Info. Display Symp., Digest Tech. Papers, 34, 550（2003）.
6） W. Huang, et al.: Mat. Sci. and Eng. B98 248 （2003）.
7） N. Sato, Finetech Japan, 2014.
8） S. Seo, et al.: Appl. Phys. Lett. 102, 161908（2013）.
9） A. Dameron, et al.: J. Phys. Chem. 112, 4573（2008）.
10） P. Carcia, et al.: Appl. Phys. Lett. 89, 31915（2006）.
11） P. F. Caria, et al.: J. Appl. Phys. 106, 023533（2009）.
12） J. Affinito, et al.: Thin Solid Films 290, 63（1996）.
13） http://www.oled-info.com/kateeva-announces-new-
ink-jet-based-oled-encapsulation-system-we-discuss-it-
companys-president
14） P. Weijer, T. Mol, ICT-216641 Fast2light（2009）.
15） 財団法人岡山県産業振興財団，研究開発成果等報告書（平成22年）