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エッチングとは、半導体製造工程において半導体上の不要部分の薄膜を加工する技術である。薄膜上のマスクのパターンを転写することであり、マスクに覆われていない部分の薄膜を一部または全部除去する工程のことを指す。
ドライエッチングでは、一般的に誘導結合プラズマ (ICP, Inductively Coupled Plasma) や容量結合プラズマ (CCP, Capacitively Coupled Plasma) などの真空放電プラズマを用いる。
エッチング対象物に対して反応性を有するガスのプラズマを生成し、処理基板にバイアスを印加することでプラズマ中の反応性イオンを基板表面に引き込み、エッチングを促進する。反応性イオンエッチング (RIE, Reactive Ion Etching) とも呼ばれる。より速く異方性をもってマスクのパターンを薄膜に転写できる。そして、薄膜材料 (固体) を化学反応によって気体として排気するため、真空容器中への薄膜元素の蓄積を抑制でき、エッチングの長期動作安定性が高い。それらの特徴によって、半導体・電子部品の製造工程で重要な役割を果たしている。
