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光導波路プロセスで必要となるドライエッチングの技術を紹介します。
導波路用ハードマスクエッチング
ハードマスク（Ni, Cr)はULVAC独自の低圧・低電子温度・高密度プラズマの磁気中性線プラズマ（NLD）で加工が可能です。
LN, LT, InP導波路向けエッチング
光導波路の場合は、屈折率や損失を考慮すると、垂直性と側壁の平滑性あるいはコアの幅が変動すると、光ビームの伝搬損失が増大します。コアの側壁を滑らかにするとともに、コアの幅を均一に維持する必要があります。石英などはCF系のイオン衝撃によるエッチングで実施される為、低圧・高密度プラズマが理想的です。磁気中性線プラズマ（NLD）は低圧・低電子温度・高密度プラズマのため導波路の加工に有効です。
