InP（インジウムリン）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
バンドギャップが広く、高い動作周波数を有し、高周波デバイスに利用されています。
また、InPもGaAs同様、直接遷移型の半導体であり発光させることが可能です。InPで代表されるデバイスに端面発光レーザー（EEL）があります。光通信の分野で長く利用されてきており、主にパワーを必要とする長距離向けで使用されます。
このEELのプロセスフローの中には、100nm程度のグレーティングを形成後、MOCVDによるエピ膜の再成長を行う工程があります。グレーティング形成においては寸法精度とダメージレスが求められます。再成長膜は、その後、リッジ形成し、保護膜形成、電極付けという流れになります。なお、このリッジ形成については、近年、深掘り要求が増えており、ULVACではマスク選択比30以上で、非常に平滑な側壁と垂直性を得るエッチングプロセスを確立しています。
