GaAs（ガリウム砒素）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
バンドギャップが広く、高い動作周波数で、シリコンデバイスよりもノイズが少なく、高周波デバイスとして多用されています。
また、間接遷移型の半導体であるシリコンとは異なり、GaAsは直接遷移型の半導体で発光させることが可能です。昨今、スマートフォンの顔認証用途に採用され、市場が拡大したVCSEL（面発光レーザー）はGaAs系の代表的な発光デバイスです。以前より光通信の短距離分野で長く利用されて来ており、その他、センシング、セキュリティー分野でも利用されています。
このVCSELのプロセスフローの中で、GaAs/AlGaAs多積層膜を任意の深さにエッチングしたいという要望もあり、ULVACでは、その制御が可能なプロセスを構築しています。
