Technical Journal

結晶太陽電池向け
イオン注入装置の開発

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(※この記事は、2015年6月発行のテクニカルジャーナルMo.79に掲載されたもので、内容は取材時のものです。)

 

3．注入特性

Figure 5　Resistance values and wafer in-plane uniformity for continuous implantation.
Figure 5　Resistance values and wafer in-plane uniformity for continuous implantation.

リンのシート抵抗の安定性及び面内均一性について記述する．
テクスチャ付156mm□N型単結晶太陽電池0.5～6［ohm・cm］Cz基板に，リンの注入を基板片面の全面に行う．その後アニール（ULVAC製　V8炉）を行い，シート抵抗値を確認した．基板は5500枚の連続注入を行い，抵抗値を確認した．注入条件は，注入エネルギー10keV，Dose量は3.0×1015［ions/cm2］の条件である．
Figure 5は，抵抗値及び基板面内抵抗値分布を示したものである．抵抗値は平均50［ohm/sq.］でウエハ間分布は（（Max－Min）/（Max＋Min）×100）±4.0％以下となっている．量産でも抵抗値安定性が得られている．
また，ウエハ面内の均一性も4.0％以下の値が得られている．

 

4．パターニング技術

Figure 6　Widths of mask patterns and wafer locations.
Figure 6　Widths of mask patterns and wafer locations.

パターンマスクを用いた注入について記述する．テクスチャ付156mm□N型単結晶太陽電池0.5～3［ohm・cm］Cz基板にボロンをマスクを用いて注入する．注入エネルギー10keV，Dose量は7×1015［ions/cm2］の条件である．注入後に注入パターンの幅を光学顕微鏡で確認した．

Figure 6は注入幅と位置の結果である．マスクの注入幅は570μm平均で，パターンの幅の分布は±4.0％以下となっている．この精度でパターン幅の制御が可能となっている．

 

5．終わりに

Figure 7　Solar cell module manufactured with a PVI-3000N system (This module was provided by LG Electorincs, Inc.).
Figure 7　Solar cell module manufactured with a PVI-3000N system (This module was provided by LG Electorincs, Inc.).

アルバックは結晶太陽電池向けにイオン注入装置を開発した．コンパクトでマスク注入が可能な装置であり，安定性にも優れている．Figure 7はPVI-3000Nによって量産されたセルを用いた太陽電池モジュール例であり，すでに太陽電池のお客様の設備としてPVI-3000Nは量産稼働している．

 

 

 

 

 

 

(※この記事は、2015年6月発行のテクニカルジャーナルMo.79に掲載されたもので、内容は取材時のものです。)

 

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文　献
1） Andrew W. et al.: Appl. Phys. Lett. 55（13）（1989）, 1363.
2） J. Zhao, A. Wang and M. A. Green: Prog. Photovolt. Res. Appl. 7（1999）, 471.
3） R. M. Swanson.: Proc. 33rd IEEE photovoltaic specialists Conference（2008）

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