PE-CVD装置
Model： CC-200
小型且使用方便，是能够应对从研究开发到小批量生产的PE-CVD装置。
特性
- 支持27.12MHz高密度等离子体工艺
- SiH 4类:对应SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS类:对应SiO 2膜
- CF 4 +O 2等离子可清理室
- 提供用于OLED低温成膜的加热器
- 托盘运输可容纳各种基材尺寸
用途
- 动力装置
- 与LED、LD、高速器件等化合物相关
- OLED开发
- 太阳能电池开发
- MEMS
